「命名」の検索結果

生成用于构建和发布 .NET 6 MAUI iOS 项目的 Azure Pipelines YAML 配置，包含 DotNetCoreCLI 任务配置、RuntimeIdentifier 设置及 IPA 文件重命名功能。

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生成使用union实现的C++结构体，支持通过xyz、rgb及数组v[3]三种方式访问同一内存，并遵循特定的typedef命名规范。

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《小红书运营手册 · AI工作台》标题生成与优化技能。用于用户明确要为小红书笔记、封面短句、图文/短视频标题、种草、教程、测评、服务内容起标题、改标题、做标题方向选择时触发。输入可以是正文草稿、选题方向、产品卖点、账号定位、图片/视频描述或已有标题。默认用快速模式输出标题；用户要求分析、首推、理由、方向、诊断或优化时用诊断/优化模式。不要在普通文章标题、论文标题、新闻标题、课程命名等非小红书/社媒场景中自动触发。

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数学建模竞赛论文写作全流程指导。覆盖国赛(CUMCM)和美赛(MCM/ICM)，从论文结构规划、各章节撰写、模型检验、参考文献规范到最终格式检查。与math-modeling-solver形成"解题→写作"配对——可接收solver输出的论文草稿片段直接展开写作。当用户提及数学建模论文写作、建模比赛、国赛/美赛/电工杯/亚太杯/深圳杯/华为杯论文、CUMCM、MCM/ICM、数模论文结构、摘要写作、模型检验、灵敏度分析、latex建模模板、word建模排版、Memo/Letter写作、模型命名、Our Work流程图，或需要写/修改/优化/检查建模论文的任何部分时，都必须使用此 skill。

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数学建模竞赛解题全流程指导。覆盖国赛(CUMCM)和美赛(MCM/ICM)全部题型(A-F)，提供12种问题本质分析、95+场景模型决策矩阵、5本算法Cookbook、11本完整例题Playbook、22个Python+7个MATLAB可运行代码模板。与math-modeling-paper形成"解题→写作"配对。当用户提及建模思路、选什么模型、怎么建模、赛题求解、粘贴赛题文本、美赛/国赛题目分析、CVaR/NSGA-II/Monte Carlo/时间序列/ANOVA/灰色关联、网络流/图论/生态建模、模型命名/Memo/Letter/Our Work流程图时，使用此skill。

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PowerX API 命名与访问规范（/api/v1、/admin、/internal 边界）。

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PowerX CRUD Model 规则（GORM 模型、多租户、索引、命名）。

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PowerX REST 契约规则（资源命名、分页、错误、版本化）。

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根据参考图、带尺寸的设计图或文字概念，在 Blender 中制作由独立命名零件组成的可编辑 3D 模型，再按用户要求修改尺寸、部件和配色，交付 .blend、GLB 和多角度渲染。用于图纸转三维、产品概念建模和风格化硬表面道具，以及“做一个同样的案例，换成坦克或其他物体”等请求；不用于人物角色、头发或脸部建模，这些请求使用 blender-reference-to-3d。以可继续修改的几何工程为核心；不默认制作拆解动画、录屏、绑定或制造模型。

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把课堂视频（本地或 B 站/YouTube）、文字稿、课件三者（任意组合）整理成一份详细的中文 Markdown 课堂笔记，输出按课程标题命名的 `{title_name}.md`（首行为 `# 文档标题`）+ 相对路径图片。Markdown 工作流，与上游 `lecture-to-notes` 的 LaTeX/PDF 输出并行存在；上游 skill 完全不动。触发词：markdown 笔记、md 笔记、视频转 markdown、Markdown 讲义、不要 LaTeX、不要 PDF、纯文本笔记。

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百度网盘(Baidu Drive)文件管理 — 上传、下载、转存、分享、搜索、移动、复制、重命名、创建文件夹。 同时支持 Agent 记忆备份/恢复（kimiclaw/maxclaw/qclaw/openclaw）。 TRIGGER: 用户提及"百度网盘/bdpan/网盘/云盘/baidu drive/Baidu Drive"并涉及文件操作； 或用户提及"备份记忆"、"恢复记忆"、"查看记忆备份"等记忆相关操作。 DO NOT TRIGGER: 非文件存储操作，或使用其他云盘服务时；本地记忆整理/清理操作；PPT 生成操作（已独立为 baidu-wenku-aippt skill）。

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JeecgBoot 开发规范（仅手动触发）。⚠️ 本技能只在用户显式输入 /jeecg-dev 或 $jeecg-dev 命令时使用，禁止自动触发——编写/修改 JeecgBoot 代码、应用 GitHub PR/issue 改动、修复 bug、新增功能、重构、代码生成等场景都不要自动调用本技能。内容涵盖 update-begin/end 痕迹注释、命名规范、实体/控制器/服务模式、API 约定、建表规则、MyBatis 多数据库兼容与修改日志实践。MANUAL ONLY: invoke ONLY when the user explicitly runs the /jeecg-dev command. Do NOT auto-trigger on any code editing, bug fix, PR/issue application, refactoring, or code generation.

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建立符合官方規格的 Claude Code skill：蒐集需求、產出正確格式的 SKILL.md、驗證命名與描述規則、套用 Progressive Disclosure 結構。適合在新增 skill 或 slash command 時使用。

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半导体芯片制造工艺 (Semiconductor Process Engineering / 半导体芯片制造工艺 — 以「物理化学极限 + 良率经济双重约束」为特征的集成电路前道/后道制造工艺认知操作系统：从「器件架构与微缩路线（planar→FinFET→GAA nanosheet→CFET、等效微缩 DTCO/STCO、背面供电 BSPDN）→ 工艺整合（FEOL/MOL/BEOL 模块协同、PDK、流片 tape-out）→ 单元工艺（光刻 litho（DUV 浸没式 193i / EUV 13.5nm / 多重曝光 SADP-SAQP / OPC / mask）、刻蚀 etch（RIE/ICP/原子层刻蚀 ALE）、薄膜沉积 depo（CVD/PECVD/LPCVD/ALD/PVD/外延 epi/电镀 Cu）、掺杂 doping（离子注入 ion implant / 退火 RTA-laser anneal）、CMP 化学机械抛光、清洗 cleaning）→ 量测检测 metrology（CD-SEM / OCD / overlay / 椭偏 ellipsometry / 缺陷检测 defect inspection / e-beam）→ 良率工程 yield（缺陷密度 / SPC 统计过程控制 / FDC / APC / DOE 实验设计 / 良率爬坡 yield ramp）→ 先进封装 advanced packaging（2.5D/3D、CoWoS、HBM、混合键合 hybrid bonding、chiplet、TSV）」的完整器件-工艺-良率-量产决策链。覆盖 (a) 第一性张力 — **物理/化学/材料的硬约束（量子隧穿、短沟道效应、RC 延迟、热预算、缺陷物理、ppb 级污染控制）⇄ 良率/成本/产能的经济约束（每片晶圆成本、良率是主经济指标、D0 缺陷密度、wafer-per-hour、折旧）**；**持续微缩/摩尔定律（dimensional + equivalent scaling、节点路线图 N5/N3/N2/A16/A14、high-NA EUV）⇄ 物理极限/微缩放缓（原子尺度、漏电、功耗墙、成本墙、'摩尔定律已死'之争）**；**协同优化/整合（DTCO 设计-工艺协同、STCO 系统-工艺协同、模块间 trade-off）⇄ 单模块极致优化（单一 unit process 工艺窗口）**；**工艺配方的 tacit 手艺（process recipe 调试、工艺窗口、缺陷根因分析、量产 ramp 的经验）⇄ 可建模/可仿真/数据驱动（TCAD 仿真、ML 良率分析、APC/FDC、数字孪生）**；**性能-功耗-面积-成本 PPAC 四角权衡 ⇄ 良率/可制造性 DFM 优先**；**自主可控/国产替代（卡脖子、EUV 出口管制、设备/材料/EDA 国产化、SMIC/长江存储/长鑫/中微/北方华创/上海微电子）⇄ 全球高度分工（ASML 光刻垄断、AMAT/Lam/TEL/KLA 设备、TSMC/Samsung/Intel 代工、全球供应链）**。(b) 核心工作流 / pipeline（最标准、最易蒸高质量 + CLI 化）— 新节点/新工艺导入：器件目标与 PPAC 定义 → 工艺整合方案与 PDK → 单元工艺开发与配方调试（DOE 找工艺窗口）→ 量测建立与 SPC → 良率爬坡（缺陷分类 + 根因分析 + 工艺改善）→ 量产移交与持续改善。具体单元工艺 SOP：光刻（曝光条件 / OPC / overlay 控制 / 多重曝光分解）、刻蚀（选择比 / profile / loading effect / ALE）、沉积（台阶覆盖 / 应力 / 均匀性）、CMP（去除速率 / 碟形 dishing / 侵蚀 erosion）、量测与缺陷分析、良率分析与 FA 失效分析。(c) 工具栈 — 设备（光刻 ASML/上海微电子 SMEE；刻蚀+沉积 AMAT/Lam/TEL/中微 AMEC/北方华创 Naura；离子注入 AMAT/Axcelis；CMP AMAT/荏原 Ebara；量测检测 KLA/AMAT/中科飞测/上海精测）、EDA/TCAD/仿真（Synopsys Sentaurus/Silvaco/Coventor SEMulator3D、OPC Calibre/Synopsys）、良率与制造软件（SPC、MES、FDC/APC、缺陷分析 yield management、PWS）、材料（光刻胶 photoresist、CMP 浆料 slurry、特气、靶材、掩膜 mask blank）。(d) 知识正典 — 半导体工艺 canon 横跨器件物理与制造工程：核心教材（Plummer/Deal/Griffin《Silicon VLSI Technology》、Sze《Physics of Semiconductor Devices》《VLSI Technology》、Wolf & Tauber《Silicon Processing for the VLSI Era》、Campbell《Fabrication Engineering at the Micro and Nanoscale》、May & Spanos《Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control》、Quirk & Serda《Semiconductor Manufacturing Technology》、肖国勇/施敏中文教材）、路线图（ITRS/IRDS、IEEE 国际器件与系统路线图）、顶会论文（IEDM、Symposium on VLSI Technology、IRPS 可靠性、SPIE Advanced Lithography、ISSCC、DAC）、行业分析（SemiAnalysis、TechInsights、IC Knowledge）。(e) figures/流派 — 学术与器件奠基（Gordon Moore 摩尔、Robert Dennard 登纳德微缩、胡正明 Chenming Hu FinFET/UTB-SOI 发明人 UC Berkeley、刘明 Tsu-Jae King Liu Berkeley、Krishna Saraswat Stanford、Mark Bohr Intel 工艺架构）、产业领袖与工艺大师（张忠谋 Morris Chang TSMC、林本坚 Burn-Jeng Lin 浸没式光刻、Martin van den Brink ASML、米玉杰/梁孟松 SMIC/三星工艺、Mark Liu/魏哲家 TSMC）、行业分析师（Dylan Patel SemiAnalysis、Scotten Jones IC Knowledge、TechInsights 拆解、Handel Jones）、科普与拆解（Asianometry、The Chip Letter、半导体行业观察）。流派分歧：等效微缩派 vs 摩尔定律已死派、前道微缩 vs 先进封装 chiplet 异构集成、dimensional scaling vs DTCO 协同优化、IDM vs 纯代工 foundry 模式、自主可控/国产替代路线 vs 全球分工。(f) 行业话术/黑话 — 制程节点 node / 流片 tape-out / 工艺窗口 process window / 良率 yield / 缺陷密度 D0 / 关键尺寸 CD / 套刻 overlay / 掩膜 reticle-mask / 光刻胶 PR / 浸没式 immersion / EUV/DUV / 多重曝光 multi-patterning SADP-SAQP / OPC / 刻蚀选择比 selectivity / profile / loading effect / 原子层刻蚀 ALE / 台阶覆盖 step coverage / 外延 epi / 离子注入 implant / 退火 anneal / RTA / CMP / dishing-erosion / FEOL-MOL-BEOL / FinFET / GAA / 纳米片 nanosheet / CFET / 背面供电 BSPDN / high-NA / PPAC / DTCO-STCO / DFM / SPC / FDC-APC / DOE / WAT-PCM / 良率爬坡 yield ramp / FA 失效分析 / particle 颗粒 / 洁净室 cleanroom-级别 / 12寸-8寸 wafer / chiplet / CoWoS / HBM / 混合键合 hybrid bonding / TSV / PDK / 等效微缩. (g) 争议/批判 — 「摩尔定律是否已死 vs 等效微缩继续」、「节点命名营销化（N3/N2 ≠ 物理 3nm/2nm，gate pitch/metal pitch 才是真尺度）」、「前道微缩 vs 先进封装异构集成谁是未来」、「自主可控/国产替代的现实（EUV 卡脖子、设备/材料/EDA 国产化进度、出口管制 entity list、良率与成熟度差距）」、「良率/成本/性能三角权衡」、「人才稀缺与工艺 know-how 的 tacit 性」、「中国大基金/产能扩张是否过剩」、「制裁与技术封锁」。(h) 大量隐性工艺手艺（process recipe 调试与工艺窗口寻找、缺陷根因分析与 FA、量产良率爬坡的经验判

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arkcli profile 切面管理：列出、查看、新建、切换、删除、重命名 profile；管理 profile 内 API Key 列表；管理五类 profile 的默认资源与持久身份切面。也负责判断 Token 额度包/资源包应继续使用 platform profile 与 `/api/v3`，不能因「套餐」或价格字样误判为 Agent Plan/Coding Plan。临时 API Key/Base URL/Endpoint 调用不写回 profile，按 arkcli-shared 的 execution-context 契约执行。旧 config 子命令已 deprecated。

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确认漏洞后产出正式 SRC/0day 提交稿 DOCX 报告的收口 skill。仅在漏洞已确认、准备成稿时使用——负责查重、过分层验证门、按固定 DOCX 骨架生成报告（Heading 2 章节 + Step 式 PoC + 内嵌真实截图）、语义化命名、放对目录、处理驳回追加。不负责挖掘/验证漏洞本身。TRIGGER：用户说"写报告/出报告/成稿/提交稿/生成漏洞报告"，或漏洞已验证到位准备交付时；或 /report。EN: Turns confirmed vulnerabilities into submission-ready DOCX reports for SRC/0day platforms (verification gates, fixed layout, step-style PoC, mandatory real screenshots). Trigger on "write report" or /report.

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把小说写成"供修改的 Word 草稿"。当用户要把稿子导成 Word/docx、要分章节带目录、章标题左对齐、要标出可以改的地方让自己修改、或说"先写个大概我来筛选修改"时使用。产出 Word 草稿(目录+第X章左对齐+【修改】红色高亮建议)，命名《书名》修改N，绝不覆盖原文。

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Universal Pipeline JSON 编写指南。基于 MaaFramework Pipeline 协议，提供节点命名、识别算法、动作类型、流程控制、可复用节点等编码规范与模式参考。在编写、修改或审查 Pipeline JSON、设计节点流程、使用 TemplateMatch/OCR/Custom 识别或 Click/Swipe 动作时使用。

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通过 Context7 MCP 使用最新的库和框架文档，而非训练数据。当用户提出设置问题、API参考、代码示例或命名框架（例如 React、Next.js、Prisma）时激活。

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设计具体 API 端点时使用。适用于资源建模后的下一步、列端点清单、HTTP 方法和状态码选择。优先使用 RFC 7231 HTTP 语义 + GitHub REST 命名规范。

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将一个或多个 Markdown 文档转换为格式优美的 Word（.docx），基于 Pandoc + 内置 reference.docx 模板（可选自定义模板），并确保不修改任何原始 Markdown 文件。内置模板已修复命名空间兼容性问题，支持 RGBA 图片自动转换。

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scholar 是 paper-search 的别名 / 软链。统一从这里入口可在内部代码中用更短的 命名空间。本子 skill 的实际实现指向 tools/paper_search/。

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把用户对 HarmonyOS、ArkUI、Canvas 或代码生成产品动效的模糊描述转换为准确术语、相近概念和可能的 ArkUI 能力，例如“松手像急刹车”“拖过头有阻力”“页面像从同一个卡片长出来”“后端没完成却显示成功”。用于命名、检索和编写提示词；不要用于完整设计审视、传统视频剪辑、镜头叙事、直接实现或构建问题。

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架构师工作技能 - 架构设计、文档管理、语义化版本控制、设计审查。当用户提到架构、设计文档、版本管理、技术选型、系统设计、数据模型、API设计、文档审查、设计规范、架构决策、或需要创建/更新设计文档时，必须使用此技能。确保所有设计文档遵循语义化版本规范和命名约定。

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